NCE-200R原子層沉積ALD系統，基于表面自限制反應原理實現原子級精度薄膜生長，廣泛應用于半導體、MEMS、光伏、儲能等前沿領域。該系統核心優勢在于超高沉積效率，單循環時間最短至2秒，效率達國際同類產品的4-10倍，同時薄膜厚度控制精度可達0.1nm級別，兼具優秀的3D保形性，能精準填充復雜孔洞及缺陷。

NCE-200R原子層沉積ALD系統采用緊湊設計，配備最多8路獨立前驅體管路，支持室溫至400℃精準控溫，具備1毫秒級前驅體脈沖分辨控制能力，搭配冷熱雙重吸附阱保護系統，可延長維護周期并降低成本。其壓力調節停流沉積模式，能實現微孔內壁、超高深寬比結構的三維保形包覆，可沉積Al?O?、HfO?、TiN等多種氧化物與氮化物薄膜。

功能及參數指標

一、反應腔室：

• 真空反應腔體采用316不銹鋼整體成型，與真空腔體連接的真空接頭全部為316不銹鋼內拋光金屬面密封（VCR）管接頭。

• 反應腔室尺寸不少于：直徑8英寸，高6毫米。

• 真空腔室樣品臺加熱溫度寬于或等于：室溫至350°C，控制精度：≤設定溫度的±1%℃。

• 真空反應腔室頂蓋加熱溫度寬于或等于：室溫至200°C，控制精度：≤設定溫度的±1%℃。

二、前驅體輸運裝置及管路：

• 前驅體匯集裝置，可匯集不少于6路獨立的前驅體管路。

• 前驅體匯集裝置加熱溫度寬于或等于：室溫至250°C，控制精度：≤設定溫度的±1%℃，金屬成型加熱器，并獨立控制。

• 載氣控制：氣體質量流量計控制范圍寬于或等于10~500sccm，控制精度：≤設定值的±0.5%。

三、反應源管路及ALD閥門：

• 獨立的前驅體管路≥4條，不少于4個ALD隔膜閥，壽命≥30萬次，閥門開關響應時間≤10毫秒；包含≥2條管路可以加熱至200℃，包含≥2條室溫前驅體管理，控制精度：≤設定值的±1%。

• 前驅體脈沖精確可控，控制精度5毫秒以下。

• 前驅體源瓶加熱：≥2套獨立金屬成型源瓶加熱器，可加熱溫度至200°C，控制精度：≤設定值的±0.5%℃，同時要求反應源瓶閥門處溫度比底部反應源溫度高，且范圍不超過設定值的5~10%。

四、薄膜沉積：

常規連續流動模式下在6英寸基底ALD沉積50 nm氧化鋁為標準沉積工藝，以三甲基鋁和水為反應源，沉積溫度200°C，要求：

• 沉積均勻性：要求片內測試9個點，要求單片內不均勻性≤2%，批次間不均勻性≤3%。

• 沉積速率：單循時間≤5秒或50 nm氧化鋁沉積時間不超過30分鐘。

• 三甲基鋁及水的脈沖時間不超過100毫秒。