目錄:華兆科技(廣州)有限公司>>半導(dǎo)體設(shè)備>>原子層沉積設(shè)備ALD>> Beneq Transform ALD原子層沉積系統(tǒng)
| 價格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,航空航天,綜合 |
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Beneq Transform ALD原子層沉積系統(tǒng)是一款A(yù)LD集群工具,專為電力電子(SiC、GaN、Si)、射頻、光電子、微型LED、MEMS和傳感器領(lǐng)域的技術(shù)開發(fā)和制造而設(shè)計。Beneq Transform ALD原子層沉積系統(tǒng)專為批量生產(chǎn)打造,能夠根據(jù)吞吐量和應(yīng)用需求進(jìn)行擴(kuò)展。它是需要表面工程應(yīng)用的理想平臺,如寬帶間隙材料的表面鈍化。
多功能平臺
熱增強(qiáng)和等離子增強(qiáng)ALD(PEALD)集成于一工具中
• 在不破壞真空的情況下結(jié)合熱批處理和單片晶圓PEALD
• 同一集群最多可支持三個工藝模塊及預(yù)熱
• 適用于多種氧化物、氮化物和納米層壓材料的靈活源配置
• 從研發(fā)到生產(chǎn),硬件架構(gòu)相同
設(shè)計上就適合工廠準(zhǔn)備
專為吞吐量、正常運行時間和無縫晶圓廠集成而打造
• 25片晶圓微批量處理的周期時間降至個位數(shù)秒
• 預(yù)熱模塊縮短循環(huán)時間并提升生產(chǎn)效率
• 可靠的晶圓自動化,集成冷卻
• 獲得SEMI S2/S8認(rèn)證,并符合NFPA 79、機(jī)械指令和UL標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用示例
• GaN HEMT 的表面鈍化
• SiC MOSFET、GaN MISFET和垂直GaN器件的柵極氧化層
• MEMS器件(包括射頻濾波器)的表面鈍化和蝕刻硬掩膜
• 射頻和功率設(shè)備的最終鈍化
• MicroLED和光子器件的表面鈍化
• TSV的隔離、屏障和種子層
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