GNP POLI-400L CMP化學機械拋光系統(tǒng)設計用于高級 CMP 工藝開發(fā)應用，如 MEMS 以及 CMP 特性研究。GNP POLI-400L CMP化學機械拋光系統(tǒng)擁有成本低，占地面積小。

特征

100~150毫米晶圓CMP機用于研發(fā)

穩(wěn)定重復性（WTWNU<5%）

高剛性

簡單，穩(wěn)健

低擁有成本      

規(guī)格 

頭部，工作臺：30~200轉(zhuǎn)/分鐘，旋轉(zhuǎn)運動，頭部振蕩（±15毫米）

尺寸：970W * 1010D * 1850H mm            

印板尺寸：Φ 406 mm（16英寸），陽極氧化鋁（可選：特氟龍涂層）

壓制方式：可變氣壓電子控制器                   

膜類型：70~500 g/cm2（1 psi ~ 7 psi）適用于4英寸、6英寸晶圓

工藝：自動序列，干入/濕出

選項                      

剎車臺調(diào)節(jié)方法：振蕩頭型或擺臂型     

雙頭系統(tǒng)        

摩擦力與溫度監(jiān)測系統(tǒng)         

應用                               

工件：6英寸晶圓，MEMS結構，優(yōu)惠晶圓

CMP工藝：硅CMP、氧化物CMP（BPSG、TEOS、SC）、金屬CMP（W、Cu）、STI、PGI等