MLA 150 無掩模光刻系統采用快速、靈活、易于使用的解決方案取代了傳統技術，具有最高的性能。通過使用數字鏡像設備（DMD）作為動態掩模，MLA 150 克服了物理光掩模的缺點。從數字設計到圖案化的基底只需幾分鐘，使您的用戶能夠加速量子器件、微機電系統、微光學和生命科學等領域的研究。

MLA 150 無掩模光刻系統特點：

非常適合多用戶設施

不到 1 小時的培訓即可獲得用戶資格

快速準確的對準

250 納米正面對準、背面對準、對準誤差補償

靈活

可在同一系統上同時安裝兩臺激光器，對整個光刻膠范圍進行曝光

不同的曝光模式可用于快速或高質量的結構化

額外的真空吸盤可用于小基板、箔或翹曲基板等具有挑戰性的樣品

運行成本低，易于維護

激光壽命為 10-20 年

直寫光刻技術

沒有與面具相關的成本、工作量或安全風險

灰度模式

對于簡單的 2.5D 結構

曝光質量

邊緣粗糙度 60 nm；CD 均勻度 100 nm；翹曲/波紋襯底自動對焦補償

最小特征尺寸

提供兩種不同的寫入模式，最小特征尺寸可達 0.45 μm

方便用戶

專門設計的軟件和工作流程使工具操作快速簡便

曝光速度

使用 405 納米激光在 <16 分鐘內完成 150 毫米晶片的切割