G10-GaN CVD氮化鎵化學氣相沉積系統 參考價：面議
G10-GaN CVD氮化鎵化學氣相沉積系統是面向6/8 英寸 GaN 功率與射頻器件的新一代量產型 MOCVD 設備，高產能、高均勻性、低成本，專為新能源與 ...
G10-SiC CVD碳化硅化學氣相沉積系統 參考價：面議
G10-SiC CVD碳化硅化學氣相沉積系統是一種專門用于生產碳化硅（SiC）材料的設備，它采用化學氣相沉積（CVD）或其他相關技術，在特定條件下將碳和硅元素以...
PD-3800L PECVD等離子體化學氣相沉積系統 參考價：面議
PD-3800L PECVD等離子體化學氣相沉積系統是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）系統。
PD-220NL PECVD等離子體化學氣相沉積系統 參考價：面議
PD-220NL PECVD等離子體化學氣相沉積系統是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 系統，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非...
PD-2201LC PECVD等離子體化學氣相沉積系統 參考價：面議
PD-2201LC PECVD等離子體化學氣相沉積系統是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和...
PlasmaPro 80 ICPCVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 80 ICPCVD化學氣相沉積系統是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠...
PlasmaPro 100 ICPCVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 100 ICPCVD化學氣相沉積系統設計用于在低生長溫度下生產高質量的薄膜，通過高密度遠程等離子體實現，從而實現優秀的薄膜質量，同時減少基板...
PlasmaPro 100 PECVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 100 PECVD化學氣相沉積系統設計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的前提下，生產均...
PlasmaPro 80 PECVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 80 PECVD化學氣相沉積系統是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。
PlasmaPro 800 PECVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 800 PECVD化學氣相沉積系統為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強化學氣相沉積 （PECVD） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用...
nano ANNEAL 真空退火系統 參考價：面議
nano ANNEAL 真空退火系統針對二維材料和晶圓在受控氣氛下的熱處理進行了優化。基材面朝上支撐在舞臺頂板上，平臺中央置于一個不銹鋼高真空腔體內，艙內配備適...
nano Etch反應離子（RIE）刻蝕系統 參考價：面議
nano Etch反應離子（RIE）刻蝕系統，專為石墨烯和2D材料的高精度加工設計。nanoETCH具備高精度射頻源和毫瓦級功率控制，能實現逐層刻蝕及層內缺陷制...
nano CVD-8G化學氣相沉積系統 參考價：面議
nano CVD-8G化學氣相沉積系統是一種石墨烯CVD系統，能夠精確控制壓力、溫度和氣體化學等條件，這對成功生產石墨烯至關重要。
MiniLab 080 PVD物理氣相沉積系統 參考價：面議
MiniLab 080 PVD物理氣相沉積系統提供高密度腔體，非常適合熱、LTE和電子束蒸發技術，需要更長的工作距離以實現最佳均勻性。
MiniLab 070 PVD物理氣相沉積系統 參考價：面議
MiniLab 070 PVD物理氣相沉積系統采用前置箱式腔室，針對直徑最大11英寸的亞態進行磁控管濺射優化。
MiniLab 026 PVD物理氣相沉積系統 參考價：面議
MiniLab 026 PVD物理氣相沉積系統是緊湊型落地式真空蒸發器，配備易于取用的“蛤殼"腔室。適用于金屬、介質和有機物的蒸發或濺射沉積技術。
nano PVD-S10A物理氣相沉積系統 參考價：面議
nano PVD-S10A物理氣相沉積系統是一款臺式系統，優化用于金屬和絕緣材料的射頻和直流磁控管濺射。體積緊湊如電子顯微鏡涂層機，但配備先進硬件以實現研究級效...
nano PVD-T15A物理氣相沉積系統 參考價：面議
nano PVD-T15A物理氣相沉積系統是一種臺式蒸發系統，優化用于沉積各種高熔點金屬和揮發性有機物。體積緊湊如電子顯微鏡涂層機，但配備優良硬件以實現研究級效...
NEXUS PVDi 物理氣相沉積系統 參考價：面議
單靶 NEXUS PVDi 物理氣相沉積系統為多種薄膜沉積應用提供了最大靈活性。NEXUS PVD支持200毫米，具備先進的工藝能力、出色的均勻性和多種沉積模式...
SIPAR ICP化學氣相沉積系統 參考價：面議
SIPAR ICP化學氣相沉積系統開發并設計適用于多種沉積模式和工藝，采用靈活的系統架構。該工具包括ICP等離子體源PTSA、一個動態溫控基板電極和一個全部控制...
Depolab 200 PECVD 開放蓋化學氣相沉積系統 參考價：面議
Depolab 200 PECVD 開放蓋化學氣相沉積系統具有堅固的設計、可靠性和靈活的軟硬件。該系統開發了多種工藝，例如高品質氮化硅和氧化硅層沉積。該系統包括...
SI 500 D ICPECVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
SI 500 D ICPECVD化學氣相沉積系統代表了感應耦合等離子體（ICP）處理在研究和工業領域的前沿地位，用于等離子體增強化學氣相沉積，涵蓋介電薄膜、非硅...
SI PEALD等離子體增強原子層沉積系統 參考價：面議
SI PEALD等離子體增強原子層沉積系統能夠在低溫下均勻且貼合地涂層敏感基底和層。樣品表面提供高通量的反應性氣體，無需紫外線或離子轟擊。
TH150恒溫恒濕試驗箱 參考價：面議
TH150恒溫恒濕試驗箱適用于航空航天材料、儀器儀表材料、電工電子產品、各種電子元器件、醫療器械、藥品等在恒溫恒濕環境下檢測其各項性能指標。
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